Компания Langdao Silex представила прототип источника EUV-излучения, однако до начала серийного производства, по оценкам разработчика, пройдет от трех до пяти лет.
ASML повышает на 10 % цены на все комплектующие для литографического оборудования с января 2027 года, что затронет интересы Samsung и SK hynix.
Компании ASML и Carl Zeiss приступили к разработке литографической системы Hyper NA, которая позволит печатать элементы размером около 5 нм и повысит разрешение более чем на треть.
ASML и ZEISS планируют выпустить литографические системы Hyper NA EUV с апертурой 0,75 и разрешением 5 нм в течение 10 лет, назвав малую глубину резкости главным техническим барьером.
ASML и Carl Zeiss разрабатывают литографию нового поколения Hyper NA, которая позволит уменьшить элементы чипов более чем на 38 процентов в ближайшие десять лет.
Huawei разрабатывает собственное оборудование для EUV-литографии и внедряет технологию LogicFolding для обхода ограничений в производстве современных чипов.
Huawei разрабатывает собственное EUV-оборудование и внедряет стратегию «закона τ (тау)» для повышения производительности чипов в условиях технологических ограничений.
Топ-менеджер Huawei Юй Чэндун сообщил о разработке Китаем собственного EUV-оборудования и внедрении технологии «логического свертывания» для обхода ограничений в производстве чипов.
Компания Gigaphoton выпустила систему рециркуляции неона для ArF-лазеров, позволяющую экономить 470 килолитров газа в год на фоне стремления производителей чипов к автономности.
Российский центр ZNTC представил прототип литографической установки для техпроцесса 130 нм, созданный при поддержке государства, однако до серийного выпуска чипов пройдет еще несколько лет.
Китайские производители микросхем накопили 343 литографические установки ASML, потратив на импорт более $13 млрд в 2024–2025 годах для выпуска 7-нм чипов.
Китайские компании закупили более 340 иммерсионных DUV-литографов ASML, потратив свыше $13 миллиардов на развитие собственного производства 7-нм чипов.
Компания ASML отчиталась о нулевой выручке в Европе по итогам первой половины 2026 года из-за отсутствия инвестиций в строительство новых полупроводниковых фабрик.
Нидерландский стартап Morphotonics привлек €40 млн на масштабирование производства технологий наноимпринтной литографии и выход на рынок дата-центров.
Китайские ученые разработали способ создания 3-нм транзисторов с помощью DUV-литографии, что позволяет обойти ограничения на поставки современного EUV-оборудования.
Стартап Terafab столкнулся с судебным иском от компании Tera-print, которая более десяти лет использует бренд Tera-Fab для литографического оборудования.
Компания ASML делает ставку на развитие лазерно-плазменных источников для EUV-литографии, планируя достичь мощности 1000 Вт и не считая лазеры на свободных электронах готовой альтернативой.
Китайская академия наук разработала архитектуру транзисторов GAA, позволяющую достичь 3-нм производительности на текущем DUV-оборудовании.
Генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг ожидает, что Китай сможет наладить производство чипов по передовым технологиям к 2030 году, несмотря на ограничения на поставки оборудования.
Генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг ожидает, что Китай создаст собственное передовое литографическое оборудование к 2030 году, снизив зависимость от зарубежных поставок.
