Компании ASML и ZEISS представили планы по разработке литографических систем Hyper NA EUV с числовой апертурой не менее 0,75. Ожидается, что данная технология обеспечит оптическое разрешение 5 нм по «полушагу». По прогнозам разработчиков, оборудование поступит в эксплуатацию примерно через 10 лет.
Ключевой инженерной задачей для Hyper NA EUV стало сокращение глубины резкости. Для решения этой проблемы потребуется использование более тонких слоев фоторезиста, а также совершенствование систем контроля фокусировки, выравнивания пластин и управления технологическими процессами.
Оптические системы с апертурой 0,75 NA по своим габаритам будут близки к текущим установкам High NA EUV, что позволит сохранить совместимость с существующими чистыми помещениями. Увеличение апертуры до 0,85 NA признано нецелесообразным из-за значительного роста объема оборудования. Источники света и маски планируется использовать повторно.
