Китайские производители полупроводников используют глубокую ультрафиолетовую литографию (DUV) и метод многократного экспонирования для создания передовых чипов в условиях ограничений на доступ к EUV-системам. Этот подход позволил выпускать процессоры класса 7 нм и приближаться к 5 нм, однако он сопряжен с серьезными экономическими и производственными издержками.
Основная проблема многократного экспонирования заключается в накоплении погрешностей и снижении выхода годных кристаллов. Чтобы обеспечить надежность, разработчики вынуждены увеличивать размеры чипов, что сокращает количество кристаллов на одной пластине и повышает себестоимость. Эксперты отмечают, что использование EUV становится выгоднее DUV, как только процесс требует применения четырех и более масок.
По оценкам Morgan Stanley, китайская компания CXMT производит в три раза меньше бит на пластину, чем западные конкуренты. Тем не менее, аналитики прогнозируют рост доли Китая в мировых поставках DRAM с 14% в 2026 году до 16% к 2028 году за счет расширения мощностей. Ожидается, что уровень самообеспеченности Китая в сфере ИИ-чипов вырастет с 42% в 2025 году до 70% к 2030 году.
Специалисты, включая технического директора Fractilia Криса Мака, сомневаются в экономической целесообразности использования DUV для техпроцессов 3 нм и 2 нм. Производители, отказывающиеся от EUV, вынуждены мириться с увеличением площади кристаллов, низким выходом годной продукции и ростом времени производства. Даже компания Micron, успешно применявшая DUV для 1-альфа DRAM, перешла на EUV в поколении 1-гамма для повышения плотности.
