Компания Langdao Silex представила прототип источника EUV-излучения, однако до начала серийного производства, по оценкам разработчика, пройдет от трех до пяти лет.
ASML и ZEISS планируют выпустить литографические системы Hyper NA EUV с апертурой 0,75 и разрешением 5 нм в течение 10 лет, назвав малую глубину резкости главным техническим барьером.
Huawei разрабатывает собственное оборудование для EUV-литографии и внедряет технологию LogicFolding для обхода ограничений в производстве современных чипов.
Huawei разрабатывает собственное EUV-оборудование и внедряет стратегию «закона τ (тау)» для повышения производительности чипов в условиях технологических ограничений.
Топ-менеджер Huawei Юй Чэндун сообщил о разработке Китаем собственного EUV-оборудования и внедрении технологии «логического свертывания» для обхода ограничений в производстве чипов.
Компания ASML делает ставку на развитие лазерно-плазменных источников для EUV-литографии, планируя достичь мощности 1000 Вт и не считая лазеры на свободных электронах готовой альтернативой.
Компания ASML полностью распродала квоты на производство EUV-сканеров до конца 2027 года и строит новый завод для расширения мощностей.
ASML планирует внедрить 12-дюймовые фотошаблоны для литографии High-NA EUV к 2033 году, что повысит эффективность производства на 40 процентов и позволит выпускать более крупные чипы.
Компания TSMC представила план внедрения литографии High-NA EUV: серийное производство начнется в 2030 году, а переход на увеличенные фотошаблоны 6 на 12 дюймов намечен на 2033 год.
Samsung и ASML разрабатывают технологию фотошаблонов 12 дюймов и планируют внедрение литографии High NA EUV в производство DRAM к 2028 году.
Компания Intel обработала более миллиона пластин с помощью технологии High-NA EUV и инициирует переход на новый стандарт фотошаблонов 6x12 дюймов для оптимизации производства.
