Компания ASML разрабатывает фотошаблоны увеличенного размера для литографических систем следующего поколения High-NA EUV. Переход на 12-дюймовый формат позволит производить более крупные чипы для ИИ и дата-центров, так как текущее оборудование ограничено площадью экспонирования около 800 квадратных миллиметров.
Демонстрация опытной производственной линии с использованием новых шаблонов запланирована на 2031 год, а запуск серийного производства — на 2033 год. По словам технического директора ASML Марко Питерса, внедрение технологии при условии отраслевой кооперации позволит повысить эффективность производства на 40 процентов.
На текущий момент Intel уже применяет системы High-NA для выпуска чипов для ноутбуков. Другие производители также определили сроки внедрения: SK Hynix и Samsung планируют использовать High-NA EUV для массового выпуска DRAM к 2028 году, а TSMC рассчитывает начать применение технологии в производстве логических чипов с 2030 года.
Новая инициатива призвана расширить возможности High-NA EUV, сделав дорогостоящее оборудование более привлекательным для масштабирования. Увеличение площади печати позволит чипмейкерам создавать более сложные и крупные архитектуры, необходимые для развития облачной инфраструктуры и систем искусственного интеллекта.
