Компания TSMC планирует начать серийное производство с применением литографии High-NA EUV в 2030 году. На первом этапе будут использоваться стандартные фотошаблоны размером 6 на 6 дюймов.
В 2031 году TSMC собирается запустить пилотную линию с поддержкой фотошаблонов 6 на 12 дюймов. Цель компании — внедрить такие системы в производство по передовым техпроцессам к 2033 году.
Технология High-NA EUV обеспечивает разрешение 8 нм при однократном экспонировании, тогда как текущие системы Low-NA ограничены 13 нм. При этом использование стандартных шаблонов 6 на 6 дюймов вдвое сокращает поле экспонирования.
TSMC совместно с ASML, Intel и Samsung работает над переходом на формат 6 на 12 дюймов. Это потребует обновления всей производственной цепочки, включая программное обеспечение EDA и оборудование для работы с шаблонами.
Вероятными кандидатами на использование High-NA EUV станут техпроцессы A10 или A11, ожидаемые к 2030 году. В TSMC подтвердили, что узлы A12 и A13, запланированные на 2029 год, сохранят текущую технологию EUV.
