Технология High-NA EUV обеспечивает разрешение 8 нм против 13 нм у Low-NA. Из-за анаморфной оптики поле экспонирования ограничено 26x16,5 мм при использовании стандартных масок 6x6 дюймов. Это вынуждает применять «сшивку» слоев, что снижает производительность сканеров ASML Twinscan EXE:5200B со 175 до 125 пластин в час.
Для решения проблемы отрасль рассматривает переход на маски 6x12 дюймов, что позволит восстановить поле 26x33 мм. Это потребует модернизации всей инфраструктуры: от производства подложек у компаний вроде AGC и Hoya до переработки систем контроля и самих сканеров ASML. Поддержка старого формата 6x6 дюймов при этом сохранится.
Intel, Samsung и TSMC сотрудничают с ASML в этом направлении. Intel ведет разработки три года. TSMC планирует запустить пилотную линию для масок 6x12 дюймов к 2031 году, а полную готовность — к 2033 году. Samsung начнет внедрение High-NA EUV в производство DRAM к 2028 году, изначально используя стандартные маски 6x6 дюймов.
Оба формата масок будут сосуществовать, так как 6x6 дюймов достаточно для большинства клиентских процессоров. Маски 6x12 дюймов потребуются для крупных чипов: ускорителей ИИ, серверных процессоров и GPU. Переход займет годы из-за необходимости параллельного обслуживания двух стандартов и высоких инвестиций всех участников цепочки поставок.
