Компании ASML, TSMC и исследовательский институт imec представили результаты разработки транзисторов на основе двумерных материалов. Устройства были изготовлены на стандартных 300-миллиметровых пластинах с применением EUV-литографии.
В ходе эксперимента удалось достичь выхода годных изделий на уровне 94% при шаге затворов в 50 нанометров. Для n-типа транзисторов использовали дисульфид молибдена, а для p-типа — дисульфид или диселенид вольфрама.
Данные были представлены в июне 2026 года на симпозиуме IEEE/JSAP по технологиям VLSI. Оба типа транзисторов показали отношение токов Imax/Imin более 10⁵ и низкие токи утечки при нулевом напряжении на затворе.
Технология совместима с существующими производственными процессами, что позволяет интегрировать её без создания новых фабрик. Исследователи отмечают возможность масштабирования метода для других 2D-материалов.
