Компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) расширяет деятельность, переходя от производства NAND-флеш-памяти к рынку DRAM. Согласно данным Counterpoint Research, компания разрабатывает память LPDDR5X со скоростью передачи данных 9600 МТ/с и планирует запуск массового производства на своем третьем заводе.
В новом проекте YMTC использует архитектуру ячеек 4F² и вертикальные канальные транзисторы (VCT). Данное решение направлено на уменьшение площади, занимаемой каждой ячейкой памяти, что теоретически позволяет повысить плотность интеграции и снизить себестоимость единицы объема памяти.
С октября 2025 года на втором заводе YMTC ведется тестирование памяти LPDDR5 второго поколения объемом 16 Гбит с целевой скоростью 7500 МТ/с. Мощность этой линии составляет около 5000 пластин в месяц, однако проект все еще находится на стадии разработки и испытаний.
Технологию 4F² также изучает китайский производитель ChangXin Memory Technologies (CXMT), планирующий выпустить модули DDR5 на этой архитектуре к концу 2026 года. При этом международные игроки, включая Micron, выражают сомнения в технической реализуемости масштабирования такой структуры ячеек.
Выход YMTC на рынок DRAM сопряжен с рисками, связанными с надежностью техпроцесса, контролем утечек и уровнем выхода годных кристаллов. Для успеха компании потребуется пройти сертификацию у производителей конечных устройств и обеспечить конкурентоспособные показатели энергопотребления и тепловыделения.
