Samsung Electronics расширила стратегическое партнерство с ASML для внедрения литографии High-NA EUV в массовое производство DRAM-памяти к 2028 году. В случае успеха компания может стать первым производителем чипов, который применит технологию следующего поколения в этом секторе.
Оборудование High-NA EUV увеличивает числовую апертуру линз с 0,33 до 0,55, что позволяет печатать более тонкие паттерны с более высоким разрешением. Это упрощает процесс производства за счет перехода к однократной экспозиции, сокращая количество этапов изготовления и повышая общую эффективность.
Инвестиции в оборудование потребуют значительных затрат: стоимость одного инструмента High-NA EUV составляет от $350 млн до $400 млн. Кроме того, Samsung присоединится к инициативе ASML по разработке 12-дюймовых фотошаблонов, которые заменят стандартные 6-дюймовые. Ожидается, что этот переход повысит производительность производства примерно на 40%.
Внедрение технологии в сегменте логики и литейного производства (foundry) запланировано на 2030 год, когда компания рассчитывает достичь техпроцесса класса 1 нм. Генеральный директор Young Hyun Jun отметил, что инновации во всей цепочке создания стоимости чипов необходимы в эпоху ИИ.
Данный шаг усиливает давление на конкурентов — SK Hynix и Micron Technology. В то время как Intel уже начала ограниченное применение технологии, а TSMC нацелена на запуск аналогичных узлов к 2030 году, ASML остается единственным в мире поставщиком оборудования для EUV-литографии.
