Компания Nagare Labs разрабатывает технологию Z2RAM — память без конденсаторов, призванную объединить скорость SRAM и плотность DRAM. Архитектура состоит из двух транзисторов и экрана, что позволяет снизить энергопотребление до уровня значительно ниже одного пикоджоуля на бит. Память планируют размещать непосредственно на кристалле ускорителя, используя стандартные 300-миллиметровые инструменты DUV-литографии для создания стеков из более чем 100 слоев.
Тестирование трехтранзисторной ячейки показало удержание данных более 300 секунд при температуре 85 градусов Цельсия. На текущем этапе прототипирования компания прогнозирует размер ячейки 0,0168 квадратного микрометра при техпроцессе 7 нм. По результатам моделирования, технология может обеспечить плотность записи в 5,7 раза выше, чем стандартная SRAM на 7 нм, однако эти показатели пока не подтверждены в промышленных условиях.
Стартап ищет партнеров для организации производства, чтобы выйти за пределы университетских лабораторий. Nagare Labs планирует начать поставки образцов Z2RAM в течение четырех лет, а серийное производство — в течение десятилетия. Среди ключевых задач компании остается разработка стандартов интеграции с ускорителями и обеспечение надежности работы ячеек при высоких температурах.
Nagare Labs привлекла $5 миллионов в рамках инвестиционного раунда, который возглавил фонд Playground Global. Пэт Гелсингер, являющийся генеральным партнером фонда, вошел в совет директоров компании. Ранее подобные технологии памяти без конденсаторов уже предлагались рынку, например, Z-RAM, лицензированная AMD 20 лет назад, однако массового распространения они не получили.
