Исследователи из Института микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) разработали предварительный техпроцесс для создания транзисторов с круговым затвором (GAA) с использованием только DUV-оборудования. Метод предполагает многократное формирование рисунка на пластине, что позволяет достичь параметров 3-нм класса без применения EUV-литографии.
Главный инженер института Е Тяньчунь отметил, что разработка находится на ранней стадии. Использование DUV-сканеров вместо EUV значительно усложняет производство, увеличивает количество технологических операций и стоимость выпуска, а также создает сложности с точностью совмещения слоев и выходом годных кристаллов.
В 2025 году специалисты академии представили твердотельный источник излучения с длиной волны 193 нм. Устройство может стать основой для будущих литографических систем, однако на текущий момент оно не является готовой альтернативой промышленным сканерам компании ASML.
Параллельно Huawei развивает концепцию Tau Scaling Law, представленную в мае. Компания планирует к 2031 году достичь плотности вычислений, эквивалентной 1,4-нм техпроцессу, за счет архитектурных изменений и временного масштабирования, не прибегая к освоению физических норм производства 1,4 нм.
