Компания SK Hynix начала строительство предприятия по упаковке передовой памяти в Уэст-Лафейетте, штат Индиана. Объем инвестиций в проект превышает $4 миллиарда, а площадь участка составляет 133 акра. Это первое производство компании в США, ориентированное на выпуск HBM-памяти для нужд искусственного интеллекта.
Завершение строительства чистых помещений запланировано на октябрь 2028 года, а серийный выпуск чипов HBM4E нового поколения ожидается во второй половине 2029 года. После выхода на полную мощность завод создаст около 1000 рабочих мест. Проект получил государственную поддержку в размере до $458 миллионов по закону CHIPS Act.
Параллельно SK Hynix рассматривает возможность строительства завода по производству NAND-памяти в США. В качестве площадки рассматривается штат Нью-Йорк, однако по состоянию на конец октября 2026 года окончательное инвестиционное решение не принято. Параметры проекта, включая стоимость и сроки, остаются неопределенными.
Развитие мощностей по выпуску NAND зависит от одобрения поставок оборудования на завод компании в Даляне, Китай. Генеральный директор SK Hynix Квак Но-Чжон заявил, что дефицит чипов памяти может сохраняться до конца 2030 года, подчеркнув, что текущие проекты в США не принесут немедленного облегчения ситуации на рынке.
