Еврокомиссия одобрила выделение €319 млн государственных субсидий компании Infineon Technologies на модернизацию предприятия в Филлахе, Австрия. Проект под названием Empowering Fab направлен на запуск первого в мире массового производства силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) с использованием 300-мм пластин. Общий объем инвестиций составит €1,1 млрд.
Переход на 300-мм пластины позволит размещать примерно в 2,3 раза больше чипов по сравнению с 200-мм аналогами, что снизит себестоимость продукции. Первые изделия с модернизированного производства должны выйти на рынок к концу 2027 года, а сама инвестиционная программа рассчитана до 2034 года. Технологию обработки 300-мм пластин для GaN-компонентов компания освоила в 2024 году.
Нитрид галлия востребован в ИИ-серверах, электромобилях и системах возобновляемой энергетики благодаря высокой частоте переключения и низким потерям энергии. По оценкам Yole Group, мировой рынок силовых GaN-компонентов может достичь $3,5 млрд к 2031 году, при этом среднегодовые темпы роста в период с 2025 по 2031 год составят около 35%.
Субсидия выделяется в рамках европейского Закона о чипах. Условия соглашения обязывают Infineon расширять сотрудничество с научными учреждениями и стартапами, предоставляя им доступ к своим мощностям. Также предусмотрено участие австрийского государства в распределении возможной дополнительной прибыли проекта сверх установленных прогнозов.
