Samsung Electronics начнет использовать техпроцесс TSMC 3 нм для производства базовых кристаллов (base die) в составе памяти HBM следующего поколения для Nvidia. Ранее Samsung самостоятельно производила все компоненты своих HBM-решений, включая базовые и основные кристаллы (core die).
Nvidia потребовала от всех своих поставщиков HBM — Samsung, SK Hynix и Micron — использовать 3-нм техпроцесс TSMC для изготовления базовых кристаллов. Также установлены единые требования к основным кристаллам: они должны производиться по техпроцессу 1c шестого поколения DRAM. Эти спецификации относятся к архитектуре HBM4E, представленной в августе.
Стандартизация производства необходима Nvidia для обеспечения стабильной производительности памяти от разных поставщиков и упрощения процесса проверки компонентов. Подразделение Device Solutions компании Samsung приняло решение адаптировать производство под требования заказчика, сохранив при этом стратегию полного цикла для стандартных HBM и решений для других клиентов, например AMD.
Samsung сохраняет возможность производства базовых кристаллов для NVHBM на собственных мощностях. Компания проводит внутреннюю оценку такой возможности в качестве резервного плана на случай, если спрос на NVHBM превысит производственные лимиты TSMC.
