Nvidia стандартизирует производство своей памяти NVHBM, обязывая поставщиков использовать техпроцесс TSMC 3 нм для создания базовых кристаллов. Инициатива, представленная в августе 2026 года, охватывает Samsung Electronics, SK Hynix и Micron.
Архитектура NVHBM предполагает перенос контроллера памяти Nvidia непосредственно в базовый кристалл. Согласно проектным целям, это решение должно обеспечить прирост пропускной способности до 30% и снижение энергопотребления на 15% относительно стандарта HBM4E.
Samsung впервые сотрудничает с TSMC в производстве базовых кристаллов HBM, сохраняя при этом часть мощностей для выпуска других видов памяти. Micron подтвердила планы по аутсорсингу базовых кристаллов HBM4E и NVHBM на заводы TSMC, ожидая начала серийного производства в 2027 году.
Компания SK Hynix, ранее применявшая техпроцесс TSMC 12 нм для HBM4, переходит на 3 нм для будущих версий памяти. Данный переход отражает общую тенденцию в отрасли, при которой производители памяти передают изготовление логических слоев специализированным литейным предприятиям.
