Компания Samsung Electronics успешно прошла проверку качества 12-слойной памяти HBM4E у Nvidia и ряда крупных облачных провайдеров. Тестирование завершилось в конце сентября. Несмотря на прохождение проверок, Samsung не подтверждает наличие контрактов на поставку, а объемы заказов и сроки начала серийного производства остаются нераскрытыми.
Представленные в мае образцы HBM4E имеют 12-слойную компоновку и объем 48 ГБ. Стандартная скорость контактов составляет 14 Гбит/с с возможностью расширения до 16 Гбит/с, что обеспечивает пропускную способность до 4 ТБ/с. В планах компании также выпуск 8-слойных версий на 32 ГБ и 16-слойных на 64 ГБ в зависимости от запросов заказчиков.
Память производится по техпроцессу 1c (шестое поколение 10-нм класса) с использованием собственного 4-нм логического базового кристалла. По сравнению с предыдущими поколениями, энергоэффективность выросла на 16%, а тепловое сопротивление снизилось более чем на 14%. Образцы были отправлены клиентам в мае, однако сроки массового выпуска будут зависеть от графиков партнеров.
