Samsung и Qualcomm расширили сотрудничество в сфере полупроводников, сфокусировавшись на технологии 2.1D-корпусирования. Цель партнерства — создание высокоскоростных и плотных межсоединений для чипов искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.
Технология 2.1D исключает использование кремниевого промежуточного слоя, характерного для 2.5D-решений. Вместо этого соединение чипов осуществляется напрямую через микроскопические линии на подложке, что позволяет снизить производственные затраты при сохранении высокой плотности передачи данных.
Samsung формирует комплексную экосистему для AI-чипов, объединяя производство логических процессоров, память HBM и передовые методы корпусирования. Компания создала альянс Multi-Die Integration Alliance для работы с партнерами в области проектирования и тестирования многокристальных систем.
Для Qualcomm развитие технологий корпусирования критически важно для интеграции вычислительных блоков, NPU и памяти в мобильные SoC. Использование чиплетов позволяет повышать производительность устройств без необходимости бесконечного увеличения площади одного кристалла.
Samsung также развивает 3D-корпусирование, включая технологию X-Cube, и внедряет стеклянные подложки для улучшения стабильности и теплоотвода. Эти разработки призваны укрепить позиции компании в конкуренции с TSMC на рынке инфраструктуры для искусственного интеллекта.
