Компания Nvidia организовала сотрудничество между TSMC и Samsung для выпуска памяти типа NVHBM. В рамках проекта Samsung будет использовать 3-нм базовые кристаллы производства TSMC для создания этой памяти.
Архитектура NVHBM переносит вспомогательные функции за пределы графического процессора, что позволяет увеличить число вычислительных блоков. Площадь интерфейса PHY сокращена на 60 процентов, пропускная способность выросла на 30 процентов, а энергопотребление снизилось на 15 процентов по сравнению с HBM4E.
Nvidia выбрала TSMC в качестве поставщика 3-нм кристаллов, так как выход годной продукции у тайваньского производителя превышает 90 процентов. У Samsung этот показатель в обозримом будущем вряд ли превысит 60 процентов.
По прогнозам UBS, в следующем году спрос на HBM вырастет на 91 процент, при этом рынок сможет удовлетворить лишь 90 процентов потребностей. Samsung планирует параллельно готовить собственный 2-нм техпроцесс для самостоятельного выпуска кристаллов.
Компании также сотрудничают в области передовых технологий упаковки чипов. При этом Samsung продолжит самостоятельно производить базовые кристаллы для стандартной памяти HBM и заказов других клиентов.
