Китайские исследователи разработали структуру материала для памяти, способную выдержать около 10 миллиардов циклов перезаписи. Этот показатель в 100 раз превышает предыдущий предел надежности, характерный для подобных полупроводниковых решений.
В работе использовались сегнетоэлектрики с вюрцитной кристаллической структурой, в частности нитрид алюминия со скандием (AlScN). Данный материал совместим с текущими техпроцессами производства полупроводников, отличается высокой скоростью переключения и низким энергопотреблением.
Ранее чипы на основе AlScN выходили из строя после 100 миллионов циклов записи. Ученые выяснили, что причиной деградации является миграция и скопление вакансий азота в кристаллической решетке, что приводит к формированию каналов утечки тока.
Разработанная структура материала ограничивает движение вакансий азота и препятствует образованию проводящих каналов. В случае успешного масштабирования технологии, память на основе AlScN может стать основой для серверного оборудования и систем искусственного интеллекта.
