Компания Micron представила модули памяти DDR5-9200 объемом 512 ГБ. Устройства используют технологию вертикальной компоновки кристаллов с применением сквозных кремниевых переходов и работают на скорости 9200 МТ/с при стандартном напряжении 1,1 В.
По данным производителя, один модуль потребляет 16 Вт, что более чем на 60% меньше суммарного энергопотребления четырех модулей по 128 ГБ, составляющего 44,2 Вт. Новинки предназначены для серверных нагрузок, включая работу с ИИ и базами данных в оперативной памяти.
Micron заявляет, что использование модулей объемом 512 ГБ позволяет увеличить производительность в аналитических задачах до 1,4 раза по сравнению с конфигурациями на базе 256 ГБ. Решение ориентировано на серверы с большим количеством ядер, где общий объем памяти может достигать 12 ТБ.
AMD и Intel проводят квалификацию новых модулей для своих будущих серверных платформ. Массовое производство запланировано на вторую половину 2027 года, при этом сроки выпуска будут корректироваться в соответствии с запросами заказчиков.
