Компания Micron Technology представила план развития до 2030 года, сфокусированный на решениях для ИИ. Производитель намерен выпускать новое поколение памяти с высокой пропускной способностью (HBM) ежегодно: от HBM4 в 2026 году до HBM6 в 2030 году. Вертикальная HBM (vHBM) и кастомные решения появятся в 2028 году. vHBM нацелена на пропускную способность 2 ТБ/с при энергопотреблении менее 1 пикоджоуля на бит.
Micron разрабатывает технологию GPU-доступной флеш-памяти для прямого взаимодействия с графическими процессорами. В сегменте DRAM компания планирует запустить серийное производство узла 1-delta во второй половине 2027 года. Он будет поддерживать стандарты LPDDR6 и HBM5, обеспечивая рост плотности битов на 20 с лишним процентов.
Для NAND-памяти поколения G11 с более чем 400 слоями серийный выпуск также намечен на вторую половину 2027 года. Micron ожидает, что G11 удвоит плотность битов по сравнению с G9, увеличит скорость ввода-вывода в 1,5 раза и снизит энергопотребление на передачу данных более чем на 25%. Компания также развивает архитектуру 6F-квадрат и 3D DRAM.
Micron прогнозирует дефицит памяти до конца 2028 финансового года. Этот прогноз подкреплен стратегическими соглашениями с клиентами, на долю которых приходится почти 35% продаж до 2030 года. Стратегия компании смещается в сторону специализированных и сложных архитектур, включая кастомную HBM, для удовлетворения потребностей высокопроизводительных вычислений и систем искусственного интеллекта.
