Технический директор Intel Пушкар Ранаде заявил, что технологический разрыв между Intel и TSMC сократился до нескольких процентов. При этом он подчеркнул, что наращивание производственных мощностей до уровня TSMC остается медленным процессом, так как текущие масштабы выпуска продукции у конкурента значительно выше.
Ранаде отметил, что расширение производства передовых чипов ограничено возможностями цепочек поставок полупроводникового оборудования. По его словам, увеличение объемов выпуска в десять раз невозможно, поэтому компания ориентируется на двукратный рост производства как на более достижимую цель.
Вице-президент Intel Крис Орс сообщил, что архитектура питания с обратной стороны кристалла позволяет компании использовать оборудование High-NA EUV для литографии. Это решение снижает нагрузку на лицевую сторону пластины, позволяя выполнять экспонирование некоторых слоев за один проход.
Intel включила High-NA EUV в качестве опции в набор инструментов проектирования для техпроцесса 14A. Компания будет обсуждать применение этой технологии с каждым клиентом индивидуально. При переходе с техпроцесса 18A на 14A Intel планирует повторно использовать около 80% оборудования.
