Компания Micron Technology официально отказалась от внедрения архитектуры ячеек памяти 4F2, назвав этот путь тупиковым. Технический директор Скотт де Бур подтвердил, что Micron изучала данную технологию более 20 лет, но не включает её в свои производственные планы.
Вместо перехода на 4F2 компания продолжит развивать классическую компоновку 6F2 и сосредоточится на создании 3D DRAM следующего поколения. По словам де Бура, 3D DRAM использует вертикальную ориентацию конденсаторов, что позволяет обойти физические ограничения масштабирования, присущие планарным структурам.
В Micron считают преимущества 4F2 преувеличенными. Технический директор пояснил, что плотность памяти зависит от шага размещения конденсаторов, а не только от площади ячейки. Кроме того, производство памяти 4F2 является более сложным и дорогостоящим процессом, не гарантирующим прироста емкости.
Активное внедрение 4F2 со стороны китайской CXMT эксперты связывают с вынужденными мерами. Из-за экспортных ограничений китайский производитель лишен доступа к передовому оборудованию, что вынуждает компанию искать альтернативные способы компоновки чипов для выпуска модулей DDR5 RDIMM.
В отличие от китайских конкурентов, Micron сохраняет доступ к EUV-литографии от компании ASML. Это позволяет американскому производителю свободно выбирать между технологиями 6F2 и 3D DRAM, не сталкиваясь с ограничениями, которые диктуют условия для других участников рынка.
