На техническом вебинаре 2026 года компания Micron объявила об отказе от архитектуры 4F² DRAM. По мнению разработчиков, данное направление не имеет перспектив масштабирования из-за высокой сложности и затрат. В качестве основной стратегии развития Micron выбрала переход к 3D DRAM, чтобы преодолеть ограничения традиционных 2D 6F² решений.
Седьмое поколение 10-нм узла 1δ уже находится на этапе наращивания объемов производства. Технология обеспечивает прирост плотности памяти на 25% и будет применяться в продуктах HBM5, vHBM, vEIM, LPDDR и DDR. Параллельно компания работает над переводом логических CMOS-цепей DRAM в 3D-формат для повышения производительности.
Дорожная карта Micron включает внедрение технологии соединения пластин в 8-м поколении 10-нм узла 1ε. В ранней разработке находится узел первого поколения суб-10-нм класса ζÅ, где будет применяться литография High NA EUV. Для второго поколения суб-10-нм узла ηÅ компания изучает использование новых материалов.
