Компания Micron представила NAND-память нового поколения G11, серийный выпуск которой запланирован на вторую половину 2027 года. Технология включает более 400 слоев, при этом производитель может пропустить поколение G10. Новинка обеспечивает вдвое большую плотность хранения данных по сравнению с текущей 276-слойной памятью G9.
Технические характеристики G11 предполагают рост скорости ввода-вывода до 1,5 раза и снижение энергопотребления при передаче данных более чем на 25 процентов. Подобные показатели направлены на повышение эффективности работы с большими массивами данных, включая системы искусственного интеллекта. В дальнейшем Micron планирует внедрять новые материалы для создания еще более плотных архитектур.
Также представлены специализированные типы NAND для центров обработки данных. Первый вариант использует SLC-память для прямого подключения к графическим процессорам и оптимизирован под высокие показатели IOPS. Второй тип ориентирован на максимальную пропускную способность, следуя концепции памяти с высокой полосой пропускания.
