Intel обработала один миллион 300-мм кремниевых пластин с помощью литографии High-NA EUV. На данный момент компания остается единственным производителем полупроводников, который активно использует эту технологию в производстве. Для реализации этого объема Intel применила системы ASML TWINSCAN EXE:5000 для исследований и тестов техпроцесса 14A, а затем расширила применение технологии на нормы 18A.
Для некоторых моделей процессоров Panther Lake компания использует наложение нескольких слоев кремния с помощью экспонирования High-NA вместо Low-NA. Intel также предлагает эту конфигурацию внешним заказчикам. Совместно с ASML компания завершила приёмочные испытания на заводе Intel Foundry для техпроцесса 14A, используя сканер TWINSCAN EXE:5200B — вторую версию оборудования High-NA EUV.
Ранее Intel сообщала об обработке более 30 000 пластин за квартал. Производственный цикл был ускорен за счет сокращения количества этапов обработки одного слоя с 40 до менее чем 10. Оптимизация важна, так как одна современная система High-NA EUV от ASML стоит около $400 млн, в то время как оборудование Low-NA вдвое дешевле.
Конкуренты Intel придерживаются иной стратегии. TSMC заявляет, что может сохранять конкурентное преимущество, используя существующую литографию Low-NA EUV. Samsung Foundry, по именам данным, отложит внедрение High-NA EUV для своего 1-нм техпроцесса до 2030 года.