Компании Intel и SK Hynix ведут переговоры о запуске производства DRAM на территории США. Реализация этого проекта станет первым случаем, когда обе корпорации развернут линии по выпуску оперативной памяти в американских штатах, чтобы удовлетворить растущий спрос со стороны крупных облачных провайдеров и разработчиков чипов.
Рассматриваются два сценария сотрудничества. Первый предполагает создание совместного предприятия для обмена технологиями интеллектуальной собственности, что поможет снизить нагрузку на цепочки поставок. Второй вариант предусматривает аренду площадей на заводе Intel в Огайо компанией SK Hynix, при которой южнокорейский производитель сохранит полный контроль над выпуском продукции.
Предполагается, что на мощностях могут выпускаться планарная память DRAM, HBM и решения на базе NAND Flash. В Intel отказались комментировать слухи, подтвердив лишь продолжение инвестиций в площадку в Огайо. Представители SK Hynix заявили, что окончательное решение еще не принято, однако возможность партнерства в будущем официально не исключается.
