Китайский производитель микросхем CXMT планирует выйти на рынок флеш-памяти NAND. Для разработки соответствующих технологий компания намерена открыть исследовательский центр в Пекине и запустить опытную производственную линию на новом предприятии в столице КНР.
Данный шаг направлен на диверсификацию бизнеса по примеру таких компаний, как Samsung и Micron, которые выпускают как DRAM, так и NAND. По имеющимся данным, CXMT уже обсудила планы по производству NAND с рядом потенциальных клиентов, включая один из стартапов.
Инициатива реализуется на фоне глобального дефицита памяти NAND. Согласно прогнозам TrendForce, ситуация с доступностью этого типа накопителей начнет улучшаться не ранее второй половины 2027 года, так как производители отдают приоритет выпуску DRAM и памяти типа HBM.
Конкуренция между китайскими игроками усиливается: YMTC, специализирующаяся на NAND, ранее начала тестирование микросхем DRAM с пониженным энергопотреблением. Обе компании также ведут работу над освоением производства HBM, востребованной в сфере ИИ.
