Корейская ассоциация полупроводниковой промышленности оценила сокращение технологического отставания китайских компаний YMTC и CXMT от мировых лидеров. В сегменте NAND разрыв составляет около одного года, в DRAM — два года, а в производстве HBM — три года. Еще несколько лет назад эксперты оценивали этот отрыв в пять лет.
Компания YMTC развивает 3D NAND и уже обладает мощностями для выпуска 270-слойных чипов. К 2027 году производитель планирует освоить 400-слойные решения. Для сравнения, Samsung и SK Hynix приступят к массовому производству 300-слойных NAND в 2025 году, что подтверждает сокращение временного лага.
В сфере DRAM компания CXMT начала выпуск DDR5 в 2025 году, что на два года позже корейских конкурентов. При этом CXMT уже наладила массовое производство LPDDR5X и ведет работу над LPDDR6. Ускорение темпов обновления продуктовой линейки повышает конкурентоспособность китайского производителя на рынке.
Наиболее сложным направлением остается HBM, где отставание оценивается в три года. CXMT начала пробный выпуск HBM3E, однако сталкивается с низким выходом годных кристаллов и сложностями при создании TSV-соединений. Для решения задач компания внедряет технологию гибридной пайки Xtacking, разработанную YMTC.
Использование медных соединений позволяет сократить длину путей сигнала и повысить эффективность стекирования, снижая зависимость от EUV-литографии. Аналитики отмечают, что китайские предприятия переходят от лабораторных разработок к промышленному производству, опираясь на расширение мощностей и развитие локальной инфраструктуры.
