Китайская академия наук представила новую архитектуру транзисторов с круговым затвором (GAA). Разработка показала коэффициент включения и выключения более 500 000 на стандартном оборудовании для DUV-литографии, что теоретически позволяет достичь производительности, сопоставимой с 3-нм техпроцессом.
В отличие от технологии FinFET, архитектура GAA обеспечивает более точное управление током и снижает утечки. Увеличение расстояния между транзисторами позволяет сохранить требуемые характеристики, что дает возможность создавать аналоги 3-нм чипов без использования EUV-литографии.
На данный момент решение касается только этапа формирования транзисторов, известного как FEOL. О полноценном промышленном производстве 3-нм микросхем речи пока не идет, так как технология находится на стадии демонстрации возможностей.
Для внедрения процесса в индустрию необходимо решить проблемы на последующих этапах изготовления чипов — MEOL и BEOL. К ним относятся создание металлических соединений и разводка слоя M0, которые остаются отдельными технологическими барьерами.
