Инженеры Калифорнийского университета в Сан-Диего разработали технологию переключения намагниченности материалов с помощью лазерных импульсов. Метод направлен на создание энергоэффективной и компактной магнитной памяти.
Ученые используют ультрабыстрый лазер, фокусирующий энергию на малых участках. При размере светового пятна менее 1,36 мкм переключение направления намагниченности происходит независимо от спиральности поляризации света.
Эксперимент проводился на структуре из девяти чередующихся слоев платины и кобальта. Ранее подобные результаты удавалось достичь только в структурах толщиной до трех магнитных слоев, после чего эффект исчезал.
Процесс переключения требует последовательности импульсов. Первый импульс нагревает материал, создавая область с обратной намагниченностью, а последующие расширяют её до перехода материала в новое устойчивое состояние.
Авторы разработки оценивают потенциальную скорость метода как более чем в 1000 раз превышающую показатели технологий с использованием внешних магнитных полей. Уменьшение размера пятна до сотен нанометров может повысить плотность записи данных.
