Компания TSMC рассматривает возможность строительства производственного кластера в районе Далласа, штат Техас. Проект может включать создание шести современных заводов по производству полупроводников в дополнение к уже существующим мощностям в Аризоне.
Инвестиции TSMC в Аризону к июлю 2026 года достигли $265 миллиардов. В этот объем входят логические фабрики, упаковочные мощности и исследовательский центр. Изначально, в 2020 году, компания заявляла о вложениях в размере $12 миллиардов.
На заводе Fab 1 в Аризоне с конца 2024 года идет серийный выпуск 4-нм чипов. Запуск 3-нм производства на Fab 2 запланирован на конец 2027 года, а в дальнейшем компания намерена освоить 2-нм техпроцесс. TSMC планирует разместить в Аризоне около 30% своих глобальных мощностей по выпуску 2-нм и более тонких чипов.
В первом полугодии 2026 года доля выручки TSMC от клиентов из США составила 75,6%. Расширение мощностей обусловлено высоким спросом на чипы для ИИ и высокопроизводительных вычислений со стороны Nvidia, Apple и AMD.
Новая площадка в Техасе усилит конкуренцию с Samsung, чье предприятие расположено в Тейлоре. Кроме того, проект соответствует стратегии США по локализации производства полупроводников в рамках закона CHIPS Act и снижению рисков, связанных с концентрацией цепочек поставок на Тайване.
