SK Hynix планирует стратегический переход на новый техпроцесс. Шестое поколение 10-нанометрового класса DRAM, известное как 1c nm, к началу 2027 года может стать основным процессом производства памяти в компании.
Доля 1c nm в общем объеме производства DRAM anticipatedly grows from 10% in 2026 Q1 to 35% by early 2027. В этот же период доля техпроцесса 1b nm снизится до 33%, что ознаменует смену основного технологического процесса.
По прогнозам отрасли, доля шестого поколения 10-нанометрового класса DRAM у Samsung Electronics и Micron к концу второго квартала 2026 года составит 16% и 19% соответственно.
В памяти HBM4 компания использует DRAM-кристаллы 1b nm. Однако в HBM4E произойдет переход на кристаллы 1c nm. Своевременное создание достаточного объема мощностей 1c nm поможет обеспечить плавный переход рынка с HBM4 на HBM4E.
