Компания Samsung Electronics рассматривает возможность использования 3-нм техпроцесса TSMC для производства базовых кристаллов специализированной памяти NVHBM, предназначенной для Nvidia. Инициатива последовала за предложением Nvidia стандартизировать базовые кристаллы для всех поставщиков, включая Samsung, SK Hynix и Micron, с применением единого технологического процесса на базе DRAM шестого поколения.
Базовый кристалл в архитектуре HBM обеспечивает взаимодействие между слоями памяти и остальными компонентами системы. В случае с NVHBM значимость этого элемента возрастает, что ужесточает требования к технологии производства. По имеющимся данным, Samsung приняла условия Nvidia, но продолжает анализировать возможность самостоятельного выпуска кристаллов на собственных мощностях.
Аналитики TrendForce сообщают, что Samsung изучает двухвариантную схему производства для памяти HBM. Она предполагает выбор между внутренними ресурсами и услугами TSMC в зависимости от запросов заказчика. На текущий момент информация о привлечении тайваньского подрядчика остается неподтвержденной, а официальных заявлений от участников сделки по состоянию на 18 октября не поступало.
