Samsung наращивает объемы выпуска памяти с высокой пропускной способностью для нужд разработчиков ИИ-ускорителей. Компания планирует удвоить мощности по производству чипов HBM4 и HBM4E к 2027 году. Ожидается, что ежемесячный выпуск вырастет с 20 000 пластин в 2026 году до 50 000 пластин в 2027 году.
Расчеты основаны на данных о закупках стеклянных носителей, которые используются для предотвращения деформации тонких DRAM-пластин при упаковке. Поскольку для каждой пластины требуется один носитель, этот показатель служит индикатором производственных объемов. Технология позволяет безопасно объединять множество слоев памяти в единый стек.
Общий объем выпуска HBM, включая поколения HBM3 и HBM3E, в следующем году достигнет 250 000 пластин против 180 000 в текущем году. При этом 80% мощностей будет отведено под HBM4 и HBM4E. Массовое производство HBM4 на базе техпроцесса 10 нм класса 1c стартовало в феврале, а образцы HBM4E станут доступны клиентам к середине 2026 года.
