Samsung Electronics и SK Hynix проводят модернизацию своих мощностей в Китае для увеличения выпуска флеш-памяти NAND. Компании стремятся удовлетворить спрос и противостоять росту доли китайского конкурента YMTC.
Samsung планирует перевести завод в Сиане с 200-слойных на 286-слойные чипы V9 NAND. Компания намерена нарастить объемы производства с 5000 пластин в месяц к декабрю 2026 года до 40 000 к концу 2027 года.
SK Hynix переходит на выпуск памяти с 240 слоями и более на предприятии в Даляне, где сейчас производятся 192-слойные чипы. Оба производителя координируют процесс с властями США, несмотря на ограничения Вашингтона на расширение мощностей и обновление технологий.
По данным Omdia за второй квартал 2026 года, доля YMTC на рынке NAND в Китае составила 38,5%. Доля Samsung снизилась до 33,5%, а SK Hynix — до 17%. YMTC уже выпускает 294-слойную память и планирует переход на чипы с более чем 300 слоями.
