Компания Samsung Electro-Mechanics совместно с Qualcomm ведет разработку технологии 2.1D-корпусирования для чипов искусственного интеллекта. Стороны занимаются исследованиями и сертификацией этой платформы гетерогенной интеграции на протяжении более одного года.
В основе 2.1D-упаковки лежит использование встроенного органического моста. По своей концепции решение напоминает технологию EMIB от Intel, однако вместо кремниевых компонентов в нем применяются более доступные органические материалы. Это позволяет снизить себестоимость производства и избежать патентных ограничений Intel.
Органический мост представляет собой компактную подложку с 5–7 слоями микросхем, выполненных по технологии перераспределительных слоев (RDL). Целевые параметры включают ширину линий и зазоры в 1,5–2 мкм, размер переходных отверстий 4–5 мкм и плотность рисунка на уровне 500–1000 на квадратный миллиметр.
По сравнению с традиционными многослойными схемами FC-BGA, органические мосты обеспечивают более точную трассировку соединений. Это позволяет повысить пропускную способность ввода-вывода, что является ключевым фактором для производительности современных полупроводниковых решений в сфере ИИ.
