Ученые Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН разработали технологию энергонезависимой флеш-памяти. В основе решения лежат диэлектрические пленки с дефектами структуры, которые выступают в роли электронных ловушек для удержания заряда, необходимого для хранения цифровых данных.
Исследователи заменили нитрид кремния на материалы с высокой диэлектрической проницаемостью, включая оксиды алюминия и циркония. Такой подход позволяет увеличить срок хранения информации, снизить энергопотребление при перезаписи и повысить устойчивость к ионизирующему излучению. Технология уже запатентована.
Главный научный сотрудник института Владимир Гриценко отметил, что при комнатной температуре время удержания электронов в ловушках теоретически может составлять сотни лет. В отличие от классической памяти с плавающим затвором, заряд здесь локализуется непосредственно внутри диэлектрика.
Разработка предназначена для космической отрасли, включая спутники, аппараты с ядерными энергетическими установками и орбитальные дата-центры. Радиационная стойкость критически важна для защиты данных от повреждений высокоэнергетическими частицами, что необходимо для длительных миссий и обработки информации на орбите.
Параллельно ведутся исследования альтернативных методов записи данных, основанных на изменении состояния самого материала. По оценкам разработчиков, такие экспериментальные технологии потенциально способны обеспечить более высокую скорость работы и ресурс, достигающий триллионов циклов перезаписи.
