Ученые из Университета Конкордия, Национального института научных исследований Канады и Йоркского университета представили метод легирования органических полупроводников, названный degradation-assisted doping (DAD). Технология призвана решить проблему низкой электропроводности, характерную для гибкой и носимой электроники.
Суть метода DAD заключается в химическом разрушении молекулы легирующего вещества сразу после передачи электрона. Продукты распада перестают участвовать в реакции, что позволяет новым молекулам беспрепятственно продолжать процесс передачи заряда, в отличие от традиционных подходов, где эффективность со временем падает.
В ходе экспериментов исследователи применяли полупроводник P3HT и легирующую добавку трис(пентафторфенил)боран (BCF). В результате количество подвижных носителей заряда удалось увеличить до 100 раз. Данные опубликованы в журнале Nature Materials.
Для подтверждения механизма работы авторы использовали ядерный магнитный резонанс, оптическую и электронную спектроскопию, калориметрию и компьютерное моделирование. Результаты экспериментов полностью совпали с теоретическими расчетами, подтвердив эффективность подхода.
