Бывший глава Intel Патрик Гелсингер инвестировал в стартап Nagare Labs. Компания разрабатывает память Z2RAM, которая должна объединить плотность DRAM, быстродействие SRAM и масштабируемость флеш-памяти.
Технология базируется на оксидных полупроводниках и трехмерной компоновке. Z2RAM обещает плотность в пять раз выше, чем у SRAM: в том же объеме можно разместить 320 Мбайт памяти вместо 64 Мбайт при сопоставимой скорости.
Ячейка Z2RAM состоит из двух транзисторов, где заряд хранится в емкости затвора второго транзистора. Это снижает задержки при чтении по сравнению с DRAM. Производство памяти будет ближе к техпроцессам NAND, что упростит выпуск.
Nagare Labs ищет производственного партнера для создания первых образцов. Стартап планирует получить работоспособные чипы в течение четырех лет и наладить массовые поставки в ближайшее десятилетие.
Среди препятствий для масштабирования компания выделяет низкую стабильность свойств оксидных полупроводников и отсутствие стандартного интерфейса для интеграции Z2RAM в сторонние вычислительные компоненты.
