Компания Micron переходит к разработке технологии G11 NAND Flash, которая станет первым решением компании с использованием 3D-стекирования. Текущее поколение G9, применяемое в актуальной линейке продуктов, использует более 200 слоев масштабирования.
Для преодоления ограничений текущей технологии Micron планирует внедрить метод wafer-on-wafer. Процесс предполагает разделение производства на две части: создание пластины с ячейками памяти и пластины с периферийными логическими схемами. Затем компоненты соединяются с помощью гибридной связки.
Технология гибридной связки использует встроенные металлические выступы, которые сплавляются между собой, создавая постоянное соединение между двумя кремниевыми чипами. Такой подход позволяет объединять несколько кристаллов или целые пластины, что удваивает емкость модулей памяти.
Поставки 400-слойной памяти NAND запланированы на вторую половину 2027 года. Данный метод производства аналогичен технологии Xtacking, которую ранее начала использовать компания YMTC для создания 3D-стекируемых компонентов NAND.
