Ученые Университета Лобачевского запатентовали технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния. Этот материал необходим для создания полировальных суспензий, применяемых при производстве микросхем. Разработка позволяет контролировать форму, размер и однородность частиц, а также снижать уровень примесей.
Проект реализуется с 2024 года в рамках программы «Приоритет-2030». Исследователи уже подготовили технологическую линию и регламент получения материала. Сейчас команда занимается проверкой стабильности технологии при масштабировании и проводит испытания совместно с индустриальным партнером.
По словам руководителя исследования Ксении Отвагиной, новый подход позволяет получать наночастицы с заданными характеристиками для точной обработки полупроводниковых пластин. Цель разработки — создание отечественных аналогов высокочистых материалов для снижения зависимости российской микроэлектроники от импорта.
