Компания Infineon Technologies впервые выпустила силовые полупроводники на основе карбида кремния (SiC), используя 300-мм пластины. Пилотное производство запущено на заводе в Филлахе, Австрия, где для новых задач адаптировали оборудование, ранее применявшееся для выпуска стандартных кремниевых чипов.
Переход на 300-мм пластины позволяет увеличить выход годных кристаллов с одной заготовки в 2,3 раза по сравнению с 200-мм форматом. Infineon планирует координировать сроки внедрения технологии с заказчиками, параллельно сохраняя выпуск продукции на 200-мм пластинах для нужд автопрома, зарядных станций и ЦОД для ИИ.
На предприятии в Дрездене компания подтвердила эффективность технологии Cold Split для разделения 300-мм SiC-пластин. Этот метод сокращает потери материала и время обработки по сравнению с традиционной резкой проволокой. Infineon развивает производство кремниевых, карбид-кремниевых и нитрид-галлиевых полупроводников.
В конце октября Infineon объявила об инвестициях в размере около €1,1 млрд в организацию массового производства силовых GaN-компонентов на 300-мм пластинах на своей площадке в Филлахе.
