Компания ChangXin Memory Technologies сообщила о прогрессе в разработке DRAM-архитектуры 4F². Президент компании доктор Цао Каньюй заявил, что до конца текущего года планируется выпуск нового поколения модулей DDR5 RDIMM, созданных с применением этой технологии.
Переход от стандартной для отрасли архитектуры 6F² к 4F² является фундаментальным изменением в проектировании чипов. В то время как 6F² использует один транзистор и один конденсатор на ячейку, архитектура 4F² уменьшает площадь каждой ячейки до четырехкратного квадрата минимального размера элемента, что повышает плотность хранения данных.
ChangXin ведет исследования в области 4F² с момента основания компании и уже сформировала портфель из более чем 300 патентных семейств. Первая научная работа по данной архитектуре была опубликована в 2021 году, за ней последовали публикации в 2023 и 2025 годах. В процессе разработки компания оптимизировала ключевые процессы, включая металлизацию линий слов, формирование разрядных линий и активацию переходов.
Выводя DDR5 RDIMM на базе 4F² на серверный рынок, ChangXin намерена преодолеть высокие технические и инженерные барьеры в этом сегменте. Хотя точные технические характеристики и дата релиза пока не раскрываются, данный продукт станет первым серийным решением компании, использующим новую архитектуру.
