Коммерческий успех полупроводникового завода зависит от годового объема производства: десятки тысяч пластин для МЭМС и фотоники или сотни тысяч для КМОП. На каждой пластине размещается от нескольких десятков до нескольких тысяч чипов в зависимости от типа продукта.
Сложность техпроцесса существенно различается. Технология МЭМС относительно проста и включает до 100 шагов. Современные же техпроцессы КМОП требуют около 2000 операций. Их разработка часто проходит в консорциумах, таких как бельгийский центр IMEC, где сотрудничают Intel, Samsung, TSMC и Global Foundries.
Развитие КМОП прошло путь от простого уменьшения размеров до внедрения новых материалов и архитектур. Начиная с техпроцесса 90 нм, стали применяться материалы с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k), такие как оксид гафния, медная металлизация, германий в каналах, а также трехмерные затворы и напряженные каналы.
Для запуска производства есть два пути: покупка готовой технологии или ее самостоятельная разработка. Компании «Микрон» (купил технологии 180 нм и 90 нм у ST Microelectronics в 2006 и 2010 годах) и «Ангстрем-Т» (купил технологию 130 нм у AMD/Global Foundries в 2007 году) использовали этот путь.
При выборе оборудования рекомендуется использовать промышленное вместо «университетского», так как последнее ненадежно и плохо воспроизводимо. При ограниченном бюджете стоит рассмотреть восстановленное промышленное оборудование от ASML, Lam Research или Ichor. Также уровень автоматизации напрямую влияет на выход годных и производительность.
Выбор размера пластин привязан к техпроцессу. Все технологии КМОП ниже 90 нм разработаны для пластин 300 мм. Оборудование для пластин 200 мм и меньше значительно дешевле, но не позволяет реализовать техпроцессы ниже 90 нм. Специальные материалы, такие как полупроводники A3B5, могут требовать использования пластин меньшего размера.