SK Hynix переходит на техпроцесс 1c DRAM. В первом квартале 2026 года доля 1c DRAM в общем объеме производства производства будет составлять около 10%, во втором квартале она вырастет до 13%, а в третьем — до 24%.
К четвертому квартале 2026 года доля техпроцесса 1c достигнет примерно 34%, а в первом квартале 2027 года — около 35%. В этот момент он обгонит текущий основной техпроцесс 1b, доля которого составит около 33%, и станет главной производственной платформой компании.
Техпроцесс 1c имеет размер проектирования около 11–12 нанометров и использует 5–6 слоев EUV-литографии. Для сравнения, техпроцесс 1b имеет размер около 12–13 нанометров и и использует 4 слоя EUV-литографии. На базе 1c будут выпускать HBM4E, LPDDR6, а также серверную и настольную память DDR5.
На данный момент Samsung Electronics и Micron лидируют в производстве 1c DRAM: их доли составляют около 16% и 19% соответственно. SK Hynix планирует обойти их к четвертому кварталу 2026 года за счет быстрого перераспределения мощностей.
Компания также изучает next-generation 4F² вертикальные затворные транзисторы и технологию 3D DRAM, чтобы преодолеть физические ограничения традиционной плоской структуры ячеек памяти 6F².
