На саммите по ИИ-инфраструктуре в Санта-Кларе компания Samsung Electronics представила дорожную карту развития полупроводниковых решений. Ключевой целью является десятикратное увеличение скорости отклика ИИ-ускорителей с помощью памяти zHBM, анонсированной в прошлом месяце. Технология предполагает вертикальную установку HBM непосредственно на ускоритель, что обеспечивает восьмикратный прирост производительности и трехкратную энергоэффективность относительно HBM5.
Представители Samsung заявили о планах увеличить скорость обработки данных с текущих 100 токенов до 1000 токенов в секунду на пользователя. Также компания объявила о намерении начать поставки образцов трехмерного хранилища zNAND-O с 2028 года. Данные решения направлены на укрепление позиций Samsung на рынке высокоскоростной памяти, где компания выступает одним из ключевых игроков.
В рамках мероприятия обсуждалась технология CXL. Несмотря на ожидания некоторых экспертов, что стандарт поможет снизить затраты на серверы, представители OpenAI и Intel выразили скепсис. Исследователь OpenAI Дэниел Моррис указал на отсутствие реальных кейсов применения CXL для запуска моделей, а архитектор Intel Видья Тиагараджан подчеркнула, что CXL не может заменить HBM из-за низкой скорости передачи данных между GPU.
