Samsung Electronics рассматривает возможность строительства новых производственных линий для техпроцессов 4 нм и 2 нм. Компания планирует увеличить мощности, чтобы удовлетворить растущий спрос на передовые базовые кристаллы для памяти HBM.
Подразделение памяти Samsung подтвердило использование 4-нм базовых кристаллов в поколении HBM4, тогда как в HBM5 планируется переход на 2-нм техпроцесс. Производство специализированных HBM-решений также требует использования высокотехнологичных базовых кристаллов.
В настоящее время половина мощностей Samsung по техпроцессу 4 нм задействована в выпуске базовых кристаллов для HBM4. Ожидается, что потребность в них продолжит расти по мере увеличения поставок HBM4 и расширения производства ИИ-чипов, включая NVIDIA Groq 3.
В рамках развития 2-нм техпроцесса Samsung намерена расширить использование процессоров Exynos, разработанных подразделением System LSI, в смартфонах серий Galaxy S и Z. Кроме того, литейное подразделение компании уже получило заказы от крупных клиентов, в том числе от Tesla.
