Компания Samsung Electronics планирует повысить отпускные цены на мобильную оперативную память DRAM и флеш-память NAND для производителей смартфонов в ходе предстоящих квартальных переговоров. Решение обусловлено текущей ситуацией на рынке полупроводников и изменением структуры спроса.
Основной причиной роста цен стало перераспределение производственных мощностей. Производители чипов увеличивают выпуск высокопроизводительной памяти HBM и накопителей для дата-центров, необходимых для обучения и работы нейросетей. Это привело к сокращению объемов выпуска памяти LPDDR и стандартных чипов NAND для потребительской электроники.
Параллельно растет спрос на память со стороны производителей смартфонов из-за внедрения локальных ИИ-алгоритмов. Для работы таких систем бренды увеличивают объем оперативной памяти в базовых конфигурациях до 12–16 ГБ, что повышает потребность в высокопроизводительных компонентах на каждое устройство.
Поскольку память DRAM и NAND занимает значительную долю в стоимости комплектующих смартфонов, рост закупочных цен окажет давление на маржинальность производителей. Компании могут столкнуться с необходимостью повышения розничных цен на устройства или пересмотра характеристик других компонентов для компенсации издержек.
